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Si4430BDY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.010
4000
0.008
3500
3000
C iss
0.006
0.004
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
2500
2000
1500
1000
C oss
0.002
0.000
500
0
C rss
0
10
20
30
40
50
60
0
5
10
15
20
25
30
6
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
5
V DS = 15 V
I D = 20 A
1.4
V GS = 10 V
I D = 20 A
4
1.2
3
1.0
2
1
0
0.8
0.6
0
5
10
15
20
25
30
35
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
60
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.025
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0.020
T J = 150 °C
10
1
T J = 25 °C
0.015
0.010
0.005
0.000
I D = 20 A
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 73184
S09-0228-Rev. D, 09-Feb-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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